辽宁工业大学学报(自然科学版)

2014, v.34;No.156(02) 82-85

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SiC MOSFET与Si MOSFET在开关电源中功率损耗的对比分析
Comparative Analysis of SiC MOSFET and Si MOSFET Power Losses in Switching Power Supply

曹洪奎;陈之勃;孟丽囡;

摘要(Abstract):

碳化硅(SiC)MOSFET是一种新型高压功率开关器件,具有导通电阻低、开关速度极快的特点。本文分析了功率MOSFET在开关电源中的功率损耗,以1 200 V/24 A的SiC MOSFET和硅(Si)MOSFET在相同的测试条件下进行了功率损耗的对比测试。实验结果表明,在相同的驱动条件和负载条件下,SiC MOSFET的开关速度明显快于Si MOSFET,同时功率损耗明显降低,即使直接采用SiC MOSFET替代Si MOSFET也会使得开关电源的效率明显提升。

关键词(KeyWords): 碳化硅MOSFET;功率损耗;导通电阻;开关速度

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation):

作者(Author): 曹洪奎;陈之勃;孟丽囡;

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